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钛士 发表于  2018-08-10 15:39:22 1108字 ( 0/626)

中国自主开发90纳米高端光刻机曝光

2017年10月25日,据台湾媒体Digitimes报道:从2009年开始算起,中国研究团队一路攻坚克难,国产首套90纳米高端光刻机已于近期第一次成功曝光。
这意味着,中国半导体材料和设备(工艺技术)产业又向前跨出了关键一大步。光刻机被全球业界人士们称为“工业皇冠明珠”。而事实上,中国科研和工程人员们也都有志在未来,从“工业皇冠”上拿到这颗“明珠”。
2017年10月25日,中科院微电子所所长叶甜春在上海IC China高峰论坛上向他人表示:中国科研团队要研发先进半导体设备,实则是因为,仅在国内,半导体制造(技术)产业要能稳健发展下去,材料和设备等供应链体系必须不断壮大起来。到了今天,中国研究团队在刻蚀工艺、薄膜和溅镀等方面都已取得突破性进展,但在研发高端光刻机方面仍然面临一系列技术难题。
Digitimes在最新一篇报道中如是阐述:“他(叶甜春)指出,中国首套光刻机曝光系统研发,可以说是目前是全世界难度最高的超精度技术,尤其在超精密光学领域,需要关键技术自主研发。而当前中国已经在此领域取得初步突破。”
中国首套90纳米高端光刻机,是由两个团队联合研发而成。一个团队是长春光学精密机械和物理研究所、应用光学国家重点实验室,另一个团队是中科院上海光学精密机械研究所。长春光学精密机械和物理研究所、应用光学国家重点实验室负责研发物镜系统,中科院上海光学精密机械研究所负责研发照明系统。2017年7月,这套国产90纳米高端光刻机首次曝光即告成功。后再到2017年10月,首个国产曝光光学系统“在整机环境下通过验收测试”。
同一天,中国科技部原副部长,02专项光刻机工程指挥部组长曹健林在本届上海IC China高峰论坛上向他人说到:中国半导体关键材料和设备产业才刚刚起步,希望中国研究团队在今后研发光刻机过程中继续攻克难关,从而从“工业皇冠”上拿到那颗“明珠”。后面,中国研究人员们还将推进到28nm节点技术研发,2020年就该有与之对应工程样品问世。而且,中国研究团队当前“走通了”EUV(极紫外光)原理系统,预计2018年开始主攻EUV 53波长机台。
这里不妨再引用Digitimes在这篇最新报道中一段原话:“曹健林称,光刻机的研发过程严格按照里程碑节点进行控制与设计,并建立综合设计、加工、镀膜、装配、测试、装调全工艺过程的像质预测模型,2015年7月已经完成装配,其后展开物镜测试台的精度提升工作;2016年9月物镜系统已经交付,整个大硅片都已经进行分布式测量;2017年7月首次曝光成功;2017年10月曝光光学系统在整机环境下通过验收测试。”

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